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三星试制512MB PRAM 08年投产“速度为NOR型闪存30倍”
2021-06-09 19:18:59
【导读】三星试制512MB PRAM 08年投产“速度为NOR型闪存30倍” 三星电子试制的512Mbit相变内存 韩国三星电子宣布,针对非挥发性内存相变内存(PRAM)“开发成功了达实用水平的试制品”。计划08年内供应首批产品,目标是替代NOR型闪存。 此次,三星试制的相变内存容量为512Mbit。通过在相变内存中使用该公司DRAM制造中采用的3维结构晶体管而实现。单元面积非常小,只有0.0467μm2。只相当于普通NOR闪存的一半。 相变内存在写入新数据时不需要进行擦去原数据的处理。因此,与原来的NOR型闪存相比,数据写入的速度可达30倍。
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